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F-RAM.

2 MB密度铁电柱
2 MB密度铁电柱

2 MB密度铁电ram,具有串行外设接口,专为关键任务数据的数据记录而设计

Infineon Technologies LLC宣布提供新的辐射硬化(Rad-Hard),串行接口铁电RAM(F-RAM),这是一个适用于任务关键数据,遥测存储和命令和控制校准数据存储的数据记录。