2 MB密度铁电ram，具有串行外设接口，专为关键任务数据的数据记录而设计

Infineon Technologies LLC宣布提供新的辐射硬化（Rad-Hard），串行接口铁电RAM（F-RAM），这是一个适用于任务关键数据，遥测存储和命令和控制校准数据存储的数据记录。该器件提供无与伦比的可靠性和数据保留，并且比非易失性EEPROM和串行使用空间应用程序更节能。它可用于为微控制器，FPGA和ASIC提供引导代码存储解决方案。188金宝搏官方网站此外，这些Rad-Hard F-RAM也适用于航空航行和其他需要军用标准温度等级从-55°C达到125℃的航空航空航空航空植物和其他应用。

具有SPI的2 MB密度F-RAM是其rad-Hard NoR-Hard非易失性F-RAM系列中的第一个。这些装置几乎无限耐受，没有磨损水平，10万亿读/写入周期，120年的数据保留在85°C，工作电压范围为2.0 V至3.6 V.最低工作电流为10 mA，最大值为10 mA，具有2 V的极端低编程电压。支持行业标准串行外围接口（SPI）协议的易用性，并支持较小的占地面积和较低的引脚计数。附加功能包括带有16个陶瓷SOP包装的小占地面积。

特征

• 2-Mbit铁电随机存取存储器（F-RAM）逻辑组织为256k×8

• 快速串行外围接口（SPI）

• 复杂的写保护方案

• 设备编号

• 低功耗（150krad TID辐射前的/柱）

• 低压操作：VDD = 2.0 V至3.6 V

• 军用温度：-55°C至+ 125°C

• 16针陶瓷SOP包装

应用程序

• 航空应用

• 空间应用