SiSS05DN–紧凑型P沟道MOSFET，具有低导通电阻，可提高便携式电子设备的功率密度

Vishay Intertechnology引入了SiSS05DN，一种30V P沟道FET第四代功率MOSFET，提供工业低导通电阻。新型MOSFET的开发目的是提供高功率密度在更小的空间里。新设备正在使用中小65%比6mm×5mm封装中具有类似导通电阻的器件。该设备的紧凑外形更容易适应PCB面积有限的设计。

SiSS05DN MOSFET的特性

• 提供3.5米的低导通电阻Ω10伏
• 采用3.3mm x 3.3mm热增强型PowerPAK 1212-8S封装设计
• 172MΩ*nC的临界优值（FOM）
• 启用高功率密度
• 100%RG-和UIS测试
• 符合RoHS标准，无卤素

笔记：有关P沟道MOSFET的更多技术细节，请参阅SiSS05DN数据表附在本页底部。

MOSFET的导通电阻比上一代解决方案低26%，比市场上其他竞争产品低35%，而其FOM比最接近的竞争设备低15%。这些具有竞争力的值有助于设备在降低传导和开关损耗的情况下运行节约能源，增加电池运行时间在便携式电子设备中，同时最大限度地减少电源路径上的电压降，以防止错误触发。

凭借其行业标准的封装尺寸，SiSS05DN为使用5 V至20 V输入导轨的应用程序中的现有部件提供了一种快速升级。新型MOSFET最适合适配器和负载开关；反极性保护；以及电池供电设备、电池充电器、消费电子产品、计算机、电信设备等的电机驱动控制。有关SiSS05DN MOSFET，请访问Vishay Intertechnology的官方网站。