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FQP30N60L N沟道功率MOSFET

FQP30N60L是一种N沟道功率MOSFET,具有中等载流能力和高漏源击穿电压。它还具有逻辑电平开关功能,这意味着可以使用较低的电压打开栅极。

FQP30N60L引脚配置

密码

密码名

Pin码描述

1.

大门

该端子上的电压控制漏极和源极之间的传导

2.

排水

电流流入这个终端

3.

来源

电流从这个终端流出

特征

  • 高电流和电压能力(60V,32A)
  • 低导通电阻为0.035Ω (10伏GS)
  • 快速切换
  • 低输入电容(1nF)

注:完整的技术细节可在FQP30N60L数据表链接在本页末尾。

FQP30N60L等效物

IRF3205,IRF540

其他功率MOSFET

IRFZ44N,20N60

如何使用FQP30N60L

FQP30N60L是一个N沟道功率MOSFET其特点是击穿电压高,载流能力大,导通电阻低。它是一个逻辑级MOSFET,这意味着即使在5V的低栅极电压下,它也可以完全导通。

FQP30N60L低压侧开关电路图

如上图所示,N沟道功率MOSFET最常见的应用是用作低压侧开关。电源通过一个可选的分流电阻器接地,以测量电流。栅极有一个下拉电阻器,以防止MOSFET在输入处于浮动状态时意外开启。增加了一个串联栅极电阻器,以防止电流尖峰损坏栅极。为了防止在切换电感负载时出现电压尖峰,在负载上添加了反并联的反激二极管。

应用

  • 汽车电子
  • DC-DC转换器
  • 高效功率开关
  • 电池供电产品

二维模型和尺寸

如果您正在使用此组件设计PCB或Perf板,则数据表中的下图将有助于了解其封装类型和尺寸。

FQP30N60L MOSFET尺寸

组件数据表

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