用于FGPA配置和引导代码存储的耐辐射和QML-V合格NOR闪存

Infineon Technologies AG已宣布推出高密度、耐辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品符合MIL-PRF-38535的QML-V流程，并为FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用提供卓越、低引脚数的单芯片解决方案。这些器件具有高达30krad（Si）偏压和125krad（Si）无偏压的抗辐射能力。在125°C时，设备支持1000个编程/擦除周期和30年的数据保留，在85°C时支持10k个编程/擦除周期和250年的数据保留。

256Mb和512Mb RadTol NOR闪存非易失性存储器均由最新的空间级FPGA完全支持，并具有133 MHz SDR接口速度。英飞凌利用65纳米浮栅闪存工艺技术开发RadTol双QSPI非易失性存储器。512Mb设备包括两个独立的256Mb芯片，它们并排安装在一个单一封装解决方案中，这为设计人员提供了在两个芯片上以双QSPI或单QSPI模式独立操作设备的灵活性，提供了使用第二个芯片作为备份解决方案的选项。

特征

• 温度范围：-55°C至125°C

• 耐辐射高达30krad（Si）偏压和125krad（Si）无偏压

• 133 MHz SDR接口速度

• 65nm浮栅闪光工艺技术

• 提供24x12毫米2 36铅陶瓷扁平封装

• QML-V合格

应用

• FPGA配置

• 图像存储

• 微控制器数据

• 启动代码存储

可利用性

RadTol NOR闪存设备现在采用24x12毫米2 36铅陶瓷扁平封装。