抗辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET，可承受航空航天应用中的太阳和电磁事件

微芯片技术引入了M6 MRH25N12U3辐射硬化250V，0.21欧姆Rds（开启），MOSFET，用于在商业航空航天和国防航天应用中对抗极端粒子相互作用以及太阳和电磁事件。新的MOSFET可以承受恶劣的空间环境,扩展电源电路的可靠性，并满足MIL-PRF19500/746的要求，性能得到增强。

M6 MRH25N12U3可承受高达以下的总电离剂量（TID）100克拉和300克拉以及线性能量转移（LET）的单粒子效应（见）87 MeV/mg/cm2. 新设备在功率转换电路中提供主要开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于设计未来卫星系统，也可替代现有系统。

M6 MRH25N12U3辐射硬化MOSFET的特性

• 按照MIL-PRF-19500和JANSR2N7593U3规范进行筛选
• 低RDS（开启）
• 快速切换
• 单事件硬化
• 低门电荷
• 简单驱动
• 易于并联
• 密封的
• 表面贴装设计
• 陶瓷封装
• ESD额定值：3B级MIL-STD-750，TM 1020

注:有关更多技术信息，请访问MRH25N12U3抗辐射MOSFET产品页面。