用于轻量级，高效率，超高速充电器和无线应用的半桥高压驱动器金宝搏188beat

意法半导体公司推出了masterergan网格状的司机基于硅技术的一对氮化镓(GaN)晶体管．这些新设备可以处理更多的电力，即使他们更小，更轻，更节能，因此，它们可以用于下一代紧凑和高效的充电器和电源适配器的消费和工业应用高达400W。

masterergan平台的设计STDRIVE 600V门驱动器和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)．9mm x 9mm低外形的GQFN封装确保高功率密度，并设计用于高压应用，在高压和低压垫之间的爬电距离超过2mm。

GaN晶体管具有低的通断损耗和没有体二极管恢复，因此，新器件提供卓越的效率和整体性能的提高，在高端、高效率的拓扑结构中，如具有有源箝位、谐振、无桥的totem-pole PFC(功率因数校正器)、以及用于AC/DC、DC/DC变换器和DC/AC变换器的其他软、硬开关拓扑。

masterergan提供了更好的性能更小的占地面积，更简单的组装，更少的组件增加了可靠性．新型氮化镓设备最适合用于智能手机超高速充电器和无线充电器、pc和游戏的USB-PD紧接适配器，以及太阳能存储系统、不间断电源或高端OLE金宝搏188beatD电视和服务器云等工业应用。

masterergan晶体管的特点

• 最大额定电流:10A
• 导通电阻(RDS()): 150Ω
• 保护功能:低侧和高侧UVLO保护，联锁，专用关机引脚，超温保护。
• 3.3 V到15v兼容输入与迟滞和下拉
• 灵活，简单，快速的设计

请注意:更多技术资料请参阅MasterGaN1数据表链接在本页的底部和MasterGaN1产品页面。