1200V碳化硅（SiC）MOSFET为工业应用提供高电压电阻、高速开关和低导通电阻

东芝提出了一个新的解决方案1200V碳化硅（SiC）MOSFET，TW070J120B，用于高电压电阻、高速开关和低导通电阻工业应用中的操作。SiC MOSFET是基于东芝公司的第二代芯片设计. 这提供了更高的可靠性—低输入电容、低栅极输入电荷和低漏源导通电阻。

与东芝的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）（'GT40QR21'）相比，新型SiC MOSFET可将关断开关损耗减少约80%，开关时间（下降时间）减少约70%，同时提供低导通电压特性，漏极电流不超过20A。

TW070J120B有助于减少功率损耗和设备尺寸在工业应用中，如大容量AC-DC变换器、光伏逆变器和大容量双向DC-DC变换器。

TW070J120B SiC MOSFET的特性

• 第二代芯片设计（内置SiC SBD）
• 高电压（VDSS=1200V）、低输入电容（Ciss=1680pF（典型值））和低总栅极电荷（Qg=67nC（典型值））
• 低二极管正向电压（VDSF=-1.35V（典型值））和高栅极阈值电压（Vth=4.2至5.8V）
• 漏源接通电阻：RDS（接通）=70mΩ（典型值）
• 易于操作的增强型

笔记：有关更多技术信息，请参阅TW070J120B数据表链接在此页面底部和TW070J120B产品页面。