2N7002 n沟道逻辑电平MOSFET

2019年1月7日 - 0评论

2 n7002 MOSFET

2 n7002引出线

的2 n7002低电压，低电流逻辑电平n沟道MOSFET．由于其低的通态电阻和低的输入电容，它被用于电源管理应用。该MOSFET可以很容易地控制3.3V或5V系统电压，因为它具有低阈值电压。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	源	电流通过源流出
2	门	控制MOSFET的偏置
3.	排水	电流通过漏极流入

特性

低导通态电阻的n沟道MOSFET
连续漏极电流(ID)为200mA
漏源极电压(VDS)为60V
通电电阻<5Ω
最小门限值电压(VGS-th)为1V
最大门限值电压(VGS-th)为3V
开关时间分别为15ns和8ns
可在To-92和SOT23-3L包装

注:完整的技术资料可在2 n7002数据表在本页最后给出。

2 n7002替代品

NTR4003、FDC666 FDC558

2 n7002等效p沟道

BSS84, FDN358P

其他n沟道mosfet

BS170N，IRF3205，2 n7000，IRF1010E，IRF540N

2 n7002简要描述

的2 n7002是一种逻辑级MOSFET，具有低通态电阻。该mosfet具有2.1V的低栅极至源极阈值电压，这使得该mosfet甚至适用于3.3V的应用电路。由于mosfet具有低的状态电阻，所以当mosfet进入时具有很高的效率。由于这种特性，它可以保持较高的开关性能，因此在电源管理应用中得到广泛应用。

mosfet也在SMD包中，因此可以用于紧凑的应用。mosfet的一个相当大的缺点是它的低漏极电流;它可以提供200mA的连续电流，在最大阈值电压下峰值电流可达1A。超过这个值就会损坏mosfet。