新的MDMESH MOSFETS系列具有增加功率密度和改善5G电站和电信数据中心的系统可靠性

Stmicroelectronics推出了新的MDMESH M9和DM9N通道超连接多驱动硅电源MOSFETS系列，非常适合从数据中心服务器和5G基础架构到平板电视的应用中开关模式电源（SMP）。要启动的第一个设备是每单位区域的650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9，它们的电阻（RDS（ON））非常低，可最大化功率密度并允许紧凑的系统尺寸。MDMESH M9和DM9系列具有非常低的反向恢复电荷（QRR）和反向恢复时间（TRR），这有助于提高效率和切换性能。

GATE阈值电压（VGS（TH））通常为STP65N045M9的3.7V和STP60N043DM9的4.0V，可最大程度地减少开关和关闭的开关损失。每个都具有最佳的最大RD（ON）（rds（on）最大值），sTP65N045M9为45MΩ，对于STP60N043DM9，每个RDS（on）的RDS（on）为45MΩ。此外，ST最新的高压MDMESH技术的特征是一个额外的铂扩散过程，可确保快速的内在身体二极管。对于早期过程，峰值二极管回收斜率（DV/DT）大。所有属于MDMESH DM9技术的设备都非常坚固，并且可以在400V时承受最高120V/ns的DV/DT。

主要特征

• 提高功率

• 极高的效率和提高功率密度

• 改善系统的可靠性和鲁棒性

• 较高的工作频率和更好的热管理

申请

• 服务器

• 电信数据中心

• 5G电站

• 微型助力者

• 电动汽车的充电站

定价和可用性

新型MDMESH M9和DM9设备，STP65N045M9和STP60N043DM9，都在TO-220 Power套件中，都已经在生产中，并且将在Q2 2022年底之前在Distributors提供。STP65N045M9将于6.30美元的订单价格从6.30美元起。件。