BD136中功率PNP晶体管

2018年6月27日 - 0评论

BD136 PNP型晶体管

BD136晶体管引出线

引脚配置

密码	销的名字	描述
1	发射器	电流通过通常接地的发射器排出
2	收藏家	电流通过集电极，通常与负载相连
3.	基础	控制晶体管的偏置，用于开启或关闭晶体管。

特征

塑料外壳PNP晶体管
高直流电流增益(hFE)， IC=10mA时通常为80
连续集电极电流（IC）为1.5A
集电极-发射极电压(VCE)为45v
集电极基极电压（VCB）为45V
发射极基极击穿电压(VBE)为5V
直流电流增益(hfe)为40到250
可提供To-225包装

注意:完整的技术细节可在BD136晶体管数据表在本页最后给出。

BD136等效晶体管

BD135

其他PNP晶体管

BC157，BC556，2N3906， 2sa1943, bd140, s8550, tip127, tip42

关于BD136晶体管的简要描述

BD136是一个PNP型晶体管因此，当基脚保持在地时，集电极和发射极将关闭(正向偏置)，当信号提供给基脚时将打开(反向偏置)。这就是PNP晶体管不同于NPN晶体管的地方，如果你正在寻找等效的NPN类型，请检查BD135晶体管。

BD136有一个获得的价值在40到250之间，这个值决定了晶体管的放大能力。通过集电极引脚的最大电流是1.5A，因此我们不能使用这个晶体管连接消耗超过1.5A的负载。为了使晶体管偏置，我们必须向基极引脚提供电流，这个电流(IB)应该被限制在5mA，并且穿过基极发射极引脚的电压应该是5V。

当这个晶体管完全偏置时，它可以允许最大1.5A的电流流过集电极和发射极。这一阶段称为饱和区，通过集电极-发射极(VCE)或基极-发射极(VBE)的典型允许电压分别为45V和45V。当基极电流被移除时，晶体管完全关闭，这一阶段被称为截止区，基极发射极电压可以在500mv左右。

在哪里使用BD136晶体管

的BD136是一个中等力量PNP型晶体管．它具有1.5A的高集电极电流值，可用于控制重负荷。关于这个晶体管的另一个特殊的事实是，它是在塑料包装，而大多数中等功率晶体管只能在金属包装。这降低了晶体管的成本，也因为封装是不导电的，它不会受到电路中其他噪声的影响。由于这一特性，晶体管被广泛应用于放大器应用。

所以如果你想找一个中等能力的PNP型晶体管在塑料包装，然后这个晶体管可能是正确的选择为你。