通用PNP晶体管

2021年9月20日 - 0评论

BC638 PNP型晶体管

BC638晶体管引出线

的BC638是TO-92封装的PNP晶体管，VCE为-60V，集电极电流为1A。凭借这一特性和1W的总功耗，该晶体管可用于中高压开关应用。

BC638晶体管Pinout配置

密码	销的名字	描述
1	发射器	从发射器发射到第一个PN结的电子
2	收集器	由集电极收集的发射极发射的电子
3.	基地	控制晶体管的偏置

功能和规格

双极性PNP，高压晶体管
直流电流增益(hFE)最大160
集电极连续电流(IC)为1A
发射极基极电压(VBE)为-5V
基极电流(IB)最大-100mA
最大集电极电压|Vcb|: 50v
集电极耗散:1w
过渡频率:100 MHz
收集器电容20 pf
工作结温度最大(Tj): 150°C
可在TO-92包

注意:完整的技术细节可在BC638数据表在本页最后给出。

BC638等效晶体管

BC557，BC558，BC559，BC108，NTE159M，BC107，MMBT3904

BC638晶体管概述

BC638晶体管是一种非常通用的晶体管，可用于许多不同的应用。该晶体管可用于开关中等高压器件，如功率放大器的前置或中间放大级。一般来说，功率放大器使用60到120V直流，这种晶体管可以用于这种应用。该组件价格便宜，易于使用，所以它是选择随机开关设备时的最佳选择。当这个晶体管处于偏置状态时，它允许通过CE(集电极-发射极)结的最大电流为1A，这个晶体管的状态被称为饱和状态，驱动电流超过1A的负载可能会对设备造成永久性损坏。此外，在设计过程中，您需要意识到该设备的最大耗散是1W，超过这个功率会损坏设备。

在正常情况下，在没有外部影响的情况下，在PNP晶体管的基部会出现一个正电压。众所周知，基于PNP晶体管的工作原理;在基极有一个正电压使PNP晶体管处于高电阻状态。通过少量的电流特征需要流动的晶体管的基础完全打开设备,这个设备可以看到,为了流1000毫安电流收集器发射器,50 ma电流流过基地所需的晶体管。