XK1R9F10QB -新型100V n沟道功率MOSFET用于汽车设备
东芝电子设备与存储公司发布了这一消息XK1R9F10QB，一个100V n沟道功率MOSFET，安装在一个低电阻TO-220SM (W)封装上。这个装置是专门为48 v汽车设备如负载开关、开关电源和驱动电机。这是东芝公司的第一个U-MOS X-H系列MOSFET沟槽结构，采用该公司最新一代工艺制造。
XK1R9F10QB功率MOSFET特点
- 沟槽结构的U-MOS X-H系列MOSFET
- 漏源极电压:100 v
- 漏极电流:160
- 通道温度:175℃
- 业界领先的1.92 m低导通电阻Ω(VGS: 10 v)
- AEC-Q101合格
请注意:更多的技术细节n沟道功率MOSFET可在本页底部链接的数据表中找到。
XK1R9F10QB提供业界领先的低导通电阻，最大导通电阻1.92mΩ，相对于当前的“TK160F10N1L”降低约20%。这一进步有助于降低设备的功耗。由于优化了器件的电容特性，器件提供了较低的开关噪声，这也有助于降低设备的电磁干扰。并联使用时，器件的阈值电压宽度收紧至1V，以增强开关同步。有关XK1R9F10QB，请访问东芝电子设备及存储公司官方网站。
