SIHH070N60EF -600V EF快速身体二极管MOSFET，电源较低，电源转换应用效率高

SIHH070N60EF来自Vishay Intertechnology是最新的600V EF快速身体二极管MOSFET系列提供低抗性和提高效率在电源转换应用中。这些第四代N通道设备降低了传导和切换损耗节省能源。这些MOSFET建立在公司最新的E节能E系列超级连接技术的基础上，以10 V时的低典型抗性为0.061Ω，超低门充电至50 NC。

新的MOSFET是符合ROHS的无卤素，并设计以承受雪崩模式下的过电压瞬变，并通过100％的UIS测试确保限制。该设备的FOM为3.1Ω*NC比同一类中最接近的MOSFET低30％。这些设备提供低有效输出电容C_o（er）和c_o（tr）分别为90 pf和560 pf改进的开关性能在零电压开关（ZVS）中，例如LLC谐振转换器。c_o（tr）该设备比同一类中最接近的MOSFET低32％。

这SIHH070N60EFMOSFET满足了电力系统架构的两个阶段的两个阶段的效率和功率密度提高的需求。图腾孔无桥功率因数校正（PFC）和软切换的直流/直流转换器拓扑。SIHH070N60EF的样品和生产量现在可用，交货时间为10周。

特点SIHH070N60EFMOSFET

• 第四代E系列技术
• 低人物（FOM）RON X QG
• 低有效电容（CO（ER））
• 减少开关和传导损失
• 雪崩能量等级（UIS）
• 符合ROHS
• 无卤素

笔记：可以在SIHH070N60EFMOSFETS数据表在此页面的底部和SIHH070N60EFMOSFET产品页面。