SIC118xKQ -具有主动箝位和<2uS短路关闭时间的汽车合格SiC MOSFET驱动芯片
电力整合已宣布其SIC118xKQ精心司机一种高效的，单通道栅极驱动碳化硅(SiC) mosfet认证AEC-Q100汽车使用。SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver设备可以配置为支持常用SiC mosfet的栅驱动电压要求，并具有复杂的安全和保护功能。这些器件可用于驱动SiC mosfet汽车应用程序，表现为轨到轨输出，快速的栅极开关速度，支持正输出和负输出电压的单极电源电压，集成电源和电压管理，并加强隔离。
SIC118xKQ scale - driver的特点
- ±8a栅极输出电流峰值
- 集成的FluxLink™技术提供了增强隔离
- SiC MOSFET优化高级有源箝位
- 标准栅极发射极电压从+15V
- 负电压范围为- 3v ~ -15V
- 超快的短路检测
- UVLO初级和次级侧
- 轨到轨稳定输出电压
- 二次侧单极供电电压
- 高达150 kHz的开关频率
- 传播延迟抖动±5 ns
- -40°C到+125°C的工作环境温度
- 高共模瞬态和磁抗扰度
- eSOP包，9.5 mm爬电和间隙，CTI 600
请注意:更多技术信息可在本页面底部链接的数据表中找到SIC1182KQ (1200 v)和SIC1181KQ (750 v)产品页面。
SIC118xKQ scale - driver的关键安全特性包括漏源极电压(VDS)监测，SENSE读出，一次和二次欠压锁定(UVLO)，限流栅驱动，高级有源箝位(AAC)，方便安全操作和软关断故障条件。AAC与V的结合DS监控确保在短路条件下，安全关闭时间小于2µs。栅极驱动控制和AAC特性使栅极电阻最小化，最终降低开关损耗，使逆变器效率最大化。
