具有增强SOA性能的新型热插拔ASFET可最大限度地降低降额并改善电流共享

Nexperia已经发布了新的PSMN4R2-80YSE（80V，4.2mΩ) 和PSMN4R8-100YSE（100V，4.8mΩ)热插拔ASFET凭借增强的SOA性能，针对5G电信系统和48 V服务器环境中的软启动应用以及需要电子保险丝和电池保护的工业设备。新的热插拔ASFET结合了最新的硅技术和铜夹封装结构，显著加强了安全操作区域和最小功耗缩小PCB面积。此外，这些产品仅为5 mm x 6 mm x 1.1 mm，PCB占地面积和设备高度分别减少80%和75%。

这些坚固的ASFET消除了Spirito效应，并在50 V时将SOA提高了166%。这些热插拔ASFET封装在与Power-SO8兼容的LFPAK56E中，封装独特的内部铜夹结构提高了热性能和电气性能，同时大大减小了占地面积。这些设备的最高结温为175℃，符合IPC9592电信和工业应用规定。

特征

• 完全优化的安全操作区（SOA），实现卓越的线性模式操作

• 低RDSon用于低I2R传导损耗

• LFPAK56E封装，适用于要求在30 mm2占地面积内实现最高性能和可靠性的应用

应用

• 热插拔

• 负荷开关

• 软启动

• 电子保险丝

• 基于48V背板/供电轨的电信系统