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Half-Bridge LFPAK56D MOSFET提供60%的寄生电感和改进的热性能,以供太空受限的汽车应用

LFPAK56D半桥汽车MOSFET
LFPAK56D半桥汽车MOSFET

Nexperia宣布发布一系列的半桥汽车MOSFET(BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H)那就是降低寄生电感和改善的热性能60%用于动力火车,电动机控制和DC/DC应用这些设备的AEC-Q101合格的半桥(高侧和低侧)包装适用于燃油和水泵,电动机控制以及DC/DC电源转换等三相汽车动力总成应用。

LFPAK56D半桥利用了现有的高量LFPAK56D装配过程,具有可靠的汽车可靠性。包装格式使用的灵活潜在客户有助于提高整体可靠性,MOSFET之间的内部铜夹连接简化了PCB的设计,并带来了插件样式的解决方案卓越的当前处理能力。与现有的三相电动机控制拓扑的双MOSFET相比,这些新LFPAK56DMOSFET占据降低PCB面积30%和寄生降低60%用于高性能切换应用。

两种设备均为40 V,并在关键测试中的汽车AEC-Q101规范进行了两倍的验证,并使用高度健壮的沟槽9汽车硅过程技术。路儿子)设备措施4.2 MOHM(BUK7V4R2)和13 MOHM(BUK9V13)。包装格式使用灵活的潜在客户来提高整体可靠性,MOSFET之间的内部铜夹连接简化了PCB设计,并带有插件样式的解决方案,具有卓越的电流处理能力98 A.

LFPAK56D半桥MOSFET的功能

  • 由于内部夹连接而引起的寄生寄生能力降低60%
  • 与LFPAK56D双重相比,PCB上节省30%的空间
  • 高性能ID最大> 60 a
  • 低热电阻
  • BLR的灵活潜在客户
  • 足迹与LFPAK56D双重兼容
  • 外部潜在客户容易AOI
  • 超越汽车产品的AEC-Q101

注意:更多的技术信息可以在BUK7V4R2-40H半桥MOSFET数据表在此页面的底部和LFPAK56D半桥MOSFET产品页面。

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