用于电动汽车充电站可靠和稳健运行的半桥2组1200V SiC MOSFET

ON Semiconductors推出了1200V全碳化硅（SiC）MOSFET双组模块对（NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2），具有卓越的开关性能和增强的散热性能，可在电动汽车（EV）市场提供可靠性和鲁棒性。这个基于平面技术的模块适合驾驶电压范围为18-20V即使在栅极电压为负的情况下，它们也可以被简单地驱动。

配置为2块半桥的10欧姆NXH010P120MNF1模块封装在F1封装中，并且6欧姆NXH006P120MNF2封装在F2封装中。该设备的压装销使其成为工业应用的理想选择，这些设备配有嵌入式负温度系数（NTC）热敏电阻器用于提供温度监控。新设备可以提供更高的效率、更高的功率密度、更好的电磁干扰（EMI）以及更小的系统尺寸和重量。

NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2 SiC MOSFET的特性

• 6M/1200V SiC MOSFET半−桥
• 热敏电阻
• 预处理的选项−应用热界面材料（TIM）且无预处理−应用蒂姆
• 推荐栅极电压18V-20V
• 低热阻
• NXH010P120MNF1带有压装销
• NXH006P120MNF2配有可焊接引脚和压装引脚

注:有关更多技术信息，请参见NXH010P120MNF1数据表链接在此页面底部和NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2 MOSFET产品页面。