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增强的EconoDUAL 3产品组合具有新的额定电流,可提高功率密度和性能

1200V EconoDUAL 3组合,带沟槽式IGBT7芯片
1200V EconoDUAL 3组合,带沟槽式IGBT7芯片

Infineon Technologies AG增强了其1200V电源EconoDUAL 3投资组合通过提供从300A到900A的新额定电流,使用TRENCHSTOP IGBT7芯片。广泛的电流范围为逆变器设计者提供了高度的灵活性,同时也提高了功率密度和性能。带有沟槽式IGBT7芯片的EconoDUAL 3基于新的微图形沟槽技术,与带有IGBT4芯片组的模块相比,其静态损耗更低。这些新设备适用于太阳能、驱动应用、商用、建筑和农用车辆(CAV)以及不间断电源(UPS)逆变器。

带有沟槽式IGBT7芯片的EconoDUAL 3组合具有175°C的最大过载结温度,其通态电压在同一芯片面积内最多可降低30%。对于扩展的750A和900A版本,EconoDUAL 3封装解决了改进的逆变器功率范围。此外,压装外壳可实现快速且经济高效的装配。此外,IGBT的振荡行为和可控性也得到了改善,芯片尺寸也得到了调整,以优化模块布局,从而降低开关损耗,从而简化了具有更高开关频率应用的设计。

特征

  • 最高功率密度

  • Tvj op=175°C过载

  • 压入控制销并拧入电源端子

  • 集成NTC温度传感器

  • 隔离基板

  • 采用模压端子的紧凑耐用设计

  • 可焊压装辅助端子

应用

  • 商用、建筑和农用车辆(CAV)

  • 电机控制和驱动

  • 太阳能系统的解决方案

  • 不间断电源(UPS)

可利用性

1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EconoDUAL 3组合可从公司网站获得,其预应用TIM的变体将很快提供。

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