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PowerPak 8x8l包装中的紧凑型N通道MOSFET功能债券无线结构和鸥翼线索可提高板级可靠性金宝搏188beat

N通道TRECHFET MOSFET
N通道TRECHFET MOSFET

Vishay Intertechnology推出了新的60Vsijh600e和80Vsijh800eN通道TRECHFET MOSFET将超低现场抗性与高温操作相结合至 +175°C,并提高电信和工业应用中的功率密度,效率和板级可靠性。这些MOSFET具有高连续的排水管电流处理,其节省空间的PowerPak 8x8L软件包可通过其债券无线结构和鸥翼线索促进板级别的可靠性,以减轻机械压力。金宝搏188beat

这些设备为电源,电动机控制,电池管理和电动工具应用中的同步整流提供了坚固的性和可靠性。为了提高功率密度,SIJH600E和SIJH800E MOSFET的连续排水电流为373A和288A,并且在10V时分别提供0.65mΩ和1.22mΩ的超低电阻。

特征

  • Trenchfet Gen IV Power MOSFET

  • 完全铅(PB) - 无设备

  • 优化的QG,QGD和QGD/QGS比率降低了相关的功率损耗

  • 比D2PAK小50%(TO-263)小50%

  • 100%RG和UIS测试

申请

  • 同步纠正

  • 或者

  • 电动机驱动控制

  • 电池管理

  • 电源供应

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