650 V SIC Schottky二极管具有MPS设计，以减少温度差异的开关损失和影响
Vishay Intertechnology已发布10新650 V碳化硅（SIC）Schottky Diodes至提高高频应用的效率通过减少切换损失。无论温度差异的影响如何，这些新设备都可以在较高的温度下运行。这合并的PIN Schottky（MPS）设计二极管屏蔽电场免受肖特基屏障和通过孔注入来减少泄漏电流，同时提高潮流电流能力。
这些新的二极管可以提供当前的评级2L TO-220AC和TO-247AD 3L包装中的4 A至40 A并提供高温操作至+175°C。他们处理与传统的纯硅肖特基设备相同的电流水平，唯一的区别是，正向电压下降略有增加，同时证明坚固程度明显更高。
这些设备用于PFC，高压电源中的高频整流，以及用于服务器，电信设备，UPS和太阳逆变器的LLC转换器。这些为设计师提供了在系统优化方面的灵活性提高。新的SIC二极管的样品和生产量现在可用，交货时间为10周。
特点650 V Sic Schottky二极管
- 合并的PIN Schottky（MPS）设计
- 当前评级从4 A到40 A
- 多数运营商二极管使用Schottky Technology在SIC Wide Bandgap材料上
- 正VF温度系数可轻松平行
- 几乎没有恢复尾巴，也没有切换损失
- 在2L TO-220AC和TO-247AD 3L软件包中提供
- 向+175°C提供高温操作
- 符合ROHS的且无卤素
笔记：可以在650 V Sic Schottky二极管数据表在此页面的底部和650 V Sic Schottky二极管产品页面。
