150V GaN HEMT器件，具有8V门击穿电压，用于工业和通信设备的电源电路
ROHM引进了最高(8V)的门击穿电压(额定门源电压)技术150V GaN HEMT器件为工业和通信设备的电源电路优化。这些新的GaN器件在中等电压范围内提供优越的高频操作改进的开关特性和低导通电阻比硅设备。
ROHM使用原始结构将额定栅源电压从典型的6V提高到8V。这有助于提高设计裕度和提高供电电路的可靠性．随着低功耗和小型化的贡献，这些新器件最大限度地提高了器件的性能与低寄生电感。
通过增加额定栅源电压和采用低电感封装，器件性能得到最大化，与传统硅解决方案相比，开关损耗降低65%。这些新型GaN HEMT器件适用于数据中心和基站的48V输入降压转换电路、基站功率放大模块的升压转换电路、D类音频放大器、激光雷达驱动电路和便携式设备的无线充电电路。金宝搏188beat
150V GaN HEMT的特点
- Gate-source电压:8 v
- 宽禁带
- 高电子饱和速度
- 大击穿电场
- 在中低电压范围内的高频工作
- 高速开关(> 1 mhz)
- 降低切换损失
注意:更多技术资料可参阅150 v GaN HEMT数据表和产品介绍150V GaN HEMT Devices．
部分数据表
