IRF9540 P沟道MOSFET

IRF9540是一种P沟道MOSFET，可驱动最大负载电流高达-19A，电压高达-100V。在脉冲模式下，它可以承受高达-72A的负载。IRF9540设计为具有低导通电阻和快速开关。

IRF9540是一种坚固耐用的器件，广泛应用于高压驱动器、放大和快速开关应用。该设备属于to-220AB包。由于其低成本和低热阻，该封装普遍适用于商业工业应用。

晶体管具有较低的漏源电阻，可降低功率损耗，使器件更高效。这种MOSFET具有较低的栅极驱动能力，用户可以直接从IC或微控制器的输出操作设备。188金宝搏官方网站

IRF9540引脚配置

别针号码	密码名	Pin码描述
1.	大门	MOSFET的导通和关断取决于施加在栅极端子上的电压。
2.	排水	电流从漏极销流出。
3.	来源	电流从源引脚进入。

特性和规格

• P沟道MOSFET
• 动态dv/dt额定值
• 低阈值电压
• 高速开关
• 低导通电阻
• 重复雪崩额定值
• 简单驱动要求
• 易于并联
• 漏极至源极电压VDS:-100 V
• 最大持续漏极电流ID：-19 A
• 最大脉冲漏极电流：-72 A
• 最大功耗PD:150 W
• 栅极至源极电压VGS:±20 V
• 二极管峰值恢复dv/dt:-5.5 V/ns
• 闸门总费用QG:61 nC
• 通态电阻RDS:0.20Ω
• 工作温度范围：-55至+175˚C
• 晶体管极性：P通道
• 包装：TO-220AB

注:更多技术规格可在IRF9540数据表附于本页末尾。

IRF9540等效部件

IRF9540PBF、IRF9540PBF-BE3、IRF034、IRF044、2SJ380、2SJ412、SIHF9540

开关特性

• 开启延迟时间T_d（on）=16纳秒
• 上升时间T_R=73纳秒
• 下降时间T_F=57纳秒
• 关闭延迟时间T_d（关）=34纳秒

IRF9540 P沟道MOSFET的模拟

IRF9540是一种P沟道MOSFET。在这里，我们将模拟proteus中可用的IRF9540。MOSFET是一种电力电子开关，当向栅极端子施加适当的电压时，它将开启。IRF9540是一种P沟道MOSFET。因此，我们需要施加适当的负电压来开启MOSFET。

我们使用1K电位计来改变施加电压的值。直流电压表显示外加栅极电压的读数。一旦栅极电压超过漏极和源极之间的阈值电压，MOSFET就会导通。电流将通过电路。

电池和LED连接在漏极到源极的路径中。当MOSFET开启时，LED将发光。

应用

• 大功率晶体管驱动器的应用
• 开关调节器
• UPS（不间断电源）
• 电池管理系统和电池充电器
• 电机驱动器应用

二维模型与尺寸