IRF630 n沟道功率MOSFET

IRF630是专门为需要高速开关的应用而设计的第三代功率MOSFET。该元件具有低导通电阻、高性价比和坚固耐用的设计。

IRF630设计支持高达200v的负载电压和9a的电流。它可以在300 μs脉冲模式下驱动高达36a的电流，占空比为2%。这种功率MOSFET是专门设计来最小化输入电容和栅极变化，可在封装to -220。

IRF630引出线的配置

销不	销的名字	销的描述
1	门	控制MOSFET的偏置
2	排水	电流通过漏极流入
3.	源	电流通过电源流出

特性

• 极高的dv/dt能力
• 快速切换
• 低固有电容
• 易于并联
• 门电荷最小化
• 简单的驱动要求

IRF630等效场效电晶体

IRF630可由IRFS630、IRFS631、IRF630PBF、IRF640、IRF640PBF、IRF644、IRFB17N50L替代。

应用程序

IRF630的申请如下:

• 太阳能供电应用
• 电机驱动程序
• 电池充电器
• 通信应用程序
• 高速交换应用
• 电源管理
• 便携式设备

技术规格

• 晶体管类型:n沟道
• 最大漏源极施加电压(VDS): 200v
• 最大漏极电流(连续)ID: 9a
• 最大漏极电流（脉冲）：36 A
• 最大功耗:74w
• 漏极和源之间的导通电阻:0.40 Ω
• 门源电压:±20 V
• 门电荷QD: 43 nC
• 动态dv/dt强度:5.8 V/ns
• 操作结和存储温度范围:-55至150˚C
• 包:- 220

注:更多技术规格可在IRF630数据表附在本页底部。

IRF630 MOSFET工作与模拟

通过在栅极和源端之间提供适当的栅极电压，可以打开场效应晶体管。如果栅极电压没有正确施加，MOSFET将保持关闭状态。例如，我们将IRF630作为MOSFET，并使用该MOSFET作为开关装置打开和关闭一个LED。在proteus中进行了仿真。

条件1:当施加的栅极电压大于4v时，LED开启。在这里，我们在门和源之间施加5v。

情况2:当施加的栅极电压小于4v时，LED仍然处于OFF状态。在这个例子中，施加的栅极电压是3V，在下图中，LED看起来处于OFF状态。