FGA15N120 IGBT
这个FGA15N120是一种高压IGBT，集电极对发射极电压为1200V，集电极持续电流为30A。它还具有非常低的集电极-发射极饱和电压1.9V和低开关损耗。
Pin码描述
密码 |
密码名 |
描述 |
1. |
大门 |
控制IGBT的偏置 |
2. |
收藏家 |
电流通过电源流入 |
3. |
发射器 |
电流通过发射极流出 |
特征
- 低饱和电压高压IGBT
- 集电极-发射极电压（VCE）：1200V
- 集电极电流（IC）：25°C时为30A
- 最小栅极阈值电压（VGE）为4.5V
- 最大栅极阈值电压（VGE）为8.5V
- 栅极发射极电压（VGE）为±20V（最大值）
- 上升时间和下降时间分别约为20ns和100ns。
- To-3P包装提供
注:完整的详细信息可在FGA15N120 IGBT数据表链接在此页面底部。
FGA15N120的替代方案
FGA25N120，TA49123，FGA180N33
FGAxxN120系列IGBT
飞兆半导体在FGAxxN120系列下有一系列高压IGBT。该系列下的所有IGBT均采用非穿通（NPT）技术，因此其具有非常低的开关损耗和低的饱和电压，因此可用于低压开关驱动器设计，其开关范围具有较高的效率。
这些IGBT的额定电流在前缀FGA后表示。例如，FGA15N120 IGBT在125°C下的额定集电极电流为15A，FGA25N120的额定集电极电流为25A。数字120表示IGBT的集电极-发射极电压为1200V。
在哪里使用FGA15N120 IGBT
FGA15N120是一种高压IGBT，可用于开关高达1200V的高压值，在25°C下的电流容量为30A。它可进一步处理高达45A的高脉冲电流，适用于涉及高压和开关电流尖峰的应用。
15N120 IGBT具有扩展的雪崩能力，即IGBT不受杂散电感问题的影响。即使集电极-发射极电压超过额定电压，它们也不会因为该特性而击穿。因此，这些IGBT可用于坚固的开关设计。
与所有IGBT一样，FGA15N与MOSFET相比，在集电极和发射极之间也存在低开关速度和高电压降的问题。所以，若你们的设计要求高效率和更快的开关器件，那个么你们应该更喜欢MOSFET而不是IGBT。在涉及高开关电压和电流的设计中，IGBT是首选。
如何使用FGA15N120
IGBT是MOSFET和BJT的组合，我们可以从其引脚输出中注意到这一点。它在输入端具有类似于MOSFET的栅极，在输出端具有类似于BJT的集电极和发射极。这表明IGBT只是一个MOSFET，在其输出侧与BJT耦合，以利用MOFET和BJT的优点。
与IGBT中的MOSFET类似，栅极引脚也必须以最小栅极电压触发才能关闭开关。在FGA15N120中，最小栅极饱和电压为4.5V，但通常在设计中使用5V，所需的栅极触发电压可使用必须切换的集电极-发射极电压和集电极电流，使用数据表中的图表计算，如下所示
一旦栅极被触发，IGBT将保持导通，即使在触发电压被移除后，与MOSFET类似。这是因为IGBT的输入栅极引脚上存在栅极电容。为了关闭器件，必须通过简单地将IGBT的栅极引脚接地来释放栅极电容。因此，通常情况下，IGBT的栅极引脚通过10k的下拉电阻器或像IR2104这样的栅极驱动器IC接地。
在开关电路中使用IGBT时，应注意不要在高频设计中使用IGBT，因为IGBT的集电极-发射极压降（开关损耗）会随着开关频率的增加而增加。可在数据表中找到相同的图表。
应用
- 高压大电流开关器件
- 感应加热
- 微波炉
- 大螺线管
- 特斯拉线圈
- 转换器或逆变电路
组件的二维模型
如果使用该组件设计PCB或Perf板，则FGA15N120数据表中的下图将有助于了解其封装类型和尺寸。
