2N3053通用NPN晶体管

2021年9月8日 - 0评论

2N3053晶体管

2 n3053引出线

这2 n3053是硅NPN晶体管到39金属可以包装。这种情况主要用于放大器和交换应用。该器件具有高击穿电压，低漏电流，低容量，并且在极宽的电流范围内有用的β。

2N3053晶体管引出线的配置

PIN码	PIN名称	描述
1	发射器	从发射器发射到第一个PN结的电子
2	根据	控制晶体管的偏置
3.	收集器	从收集器收集的发射器发出的电子

2N3053晶体管的基本概述和特点

双极NPN晶体管
DC电流增益（HFE）最大50
连续收集器电流（IC）为700mA
发射极基极电压(VBE)为5V
基极电流(IB)最大15mA
最大集电极电压|Vcb|: 80v
收集器耗散：5 W
过渡频率：> 100 MHz
操作和存储结温度范围-65至+200°C
收集器电容<15PF
输入电容< 80 pf
可在TO-39金属罐头包装

笔记：完整的技术细节可以在其中找到2 n3053数据表在本页最后给出。

2 n3053等效晶体管

BC108那SL100.那2 n2219那2N5210,2N5321，BC140，BC141，BC440，BC441

晶体管的基本工作原理

2N3053晶体管是通用N-P-N晶体管，结晶体管是两层n型材料或p型材料之间的夹层结构，取决于结构晶体管分为两类NPN晶体管和PNP型晶体管，如下所示。晶体管是由硅或锗组成的，根据应用，申请人必须选择一个合适的。

晶体管的象征

2N3053晶体管的一般描述

2n3053是A.NPN晶体管因此，当没有电源时，收集器和发射器将留下打开（反向偏见）。直到正电压施加到晶体管的底座，当存在正电压时，少量电流开始从基部流到发射极并且晶体管达到其ON状态。该晶体管的最大增益为50，其确定设备的放大因子。对于该设备，最大基本电流限制为15mA，超过该设备，它可能会损坏设备。该设备的集电极发射极电流超过700mA可能会损坏设备。这是一个5W额定晶体管，可用于许多不同的应用。

当这个晶体管处于偏置状态时，它可以允许通过CE(集电极-发射极)结的最大电流为700mA，功率容量为5W，这种状态称为晶体管饱和状态，驱动电流大于700mA的负载可能会损坏设备。你们可能已经知道晶体管是当前的控制设备因此，当备份基电流被移除时，晶体管将迁移到其关闭状态，在此阶段晶体管在其上工作截止区因此，没有电流流过基础发射器结。

如何使用2N3053晶体管

晶体管是电流控制的装置，其意味着它们可以通过供应所需的基极电流打开或关闭，对于2N3053晶体管，它是15mA的2N3053晶体管。2n3053是NPN晶体管，其意味着当没有电流施加到其基座时，它将留下，但是当我们施加基极电压时，少量的基极电流流过晶体管，并且晶体管接通。下面的模拟电路示出了当施加到基座时基电流施加到基座时的晶体管的行为方式。

晶体管电路图