最新一代硅 - 碳化物电源设备，用于快速充电EV基础架构和工业应用
Stmicroelectronics引入了其第三代Stpower硅卡比德（SIC）MOSFET这种利用了新的第三代SIC平台，并且与其模具大小相关的电压等级更高，这使得该技术成为电动汽车应用程序和快速充电EV基础架构的绝佳选择。这些MOSFET为公认的合并数字（FOM）设定了新的行业领先基准，[抗性（RON）X DIE尺寸和Ron X Gate Charge（QG）]表达了晶体管效率，功率密度和切换性能。
这些设备受益于非常快速的固有二极管，该二极管提供了用于车辆到X（V2X）功率流中的汽车车载充电器（OBC）所需的双向属性，从而使电池从OBC电池传输到基础架构。此外，它们的高频功能允许电源系统中的较小的被动组件，该组件允许车辆中更紧凑，更轻巧的电气设备。宝金博188
特征
AEC-Q101合格
在整个温度范围内非常低的RD（ON）
高速切换性能
非常快速，稳健的内在身体二极管
来源传感引脚提高效率
申请
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工业应用
可用性和定价
可用的第一批产品是650V SCT040H65G3AG，价格为5.00美元。
