IRLZ34N N沟道功率MOSFET

10月19日10月19日 - 0评论

IRRZ34N MOSFET.

IRRZ34N MOSFET引脚向上引脚

N沟道高功率MOSFET（金属氧化物 - 半导体场效应晶体管）是驱动微控制器的较高电压和电流的流行。因此，它们具有非常低的电阻（@0.035Ω或35毫米），因此它们耗散较少的热量，通常不需要散热器（只要负载小于2.5安培）。IR MOSFET系列功率MOSFET用于各种设备，以支持各种应用，如DC电机，逆变器，SMP，照明，负载开关以及电池供电的应用。

IRLZ34N MOSFET引脚配置

PIN码	PIN名称	针描述
1	大门	控制MOSFET的偏置
2	流走	电流通过排水管流入
3.	来源	电流通过源流出并离开MOSFET

功能和规格

制造商：英飞凌
安装风格：通过孔组件
包装/案例：到-220案例
身高：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
上升时间：100 ns
下降时间：29 ns
晶体管极性：N沟道
频道模式：增强
工作温度范围：-55^0.c至+ 175^0.C
漏极源击穿电压（VDSS）= 55V
连续排水电流（I_D.）= 30a.
排水源电阻（R_DS.）：0.035Ω
功耗（p_D.)：68瓦
漏极至源极击穿电压：55 V
最大栅源电压：±16 V

IRRZ34N等效MOSFET.

IRRZ44Z，IRRZ44N，IRFB3607G，IRFB3207Z，IRF3205Z，IRF1407，IRFB4310ZG，IRFB4510G，IRF3710，IRF1407，IRF1010EZ，IRFB4321，IRFZ44V，IRFB4410等。

IRRZ34N MOSFET工作（N沟道，增强型）

测试MOSFET（增强型）让我们简要了解内部发生的事情。现在MOSFET通常用作开关。将电压施加到栅极销，这导通漏极到源路径，因此它用作开关。现在，在某些情况下，这比机械开关更好，因为没有移动部分。栅极与漏极和源绝缘，并且它用作非常小的电容器，相对于源极相对于源通道和装置的导通栅极的正电压。当栅极 - 源电压掉到零时，则设备关闭。

如何使用DMM测试MOSFET的开启和关闭状态

现在，要测试MOSFET，请将数字式万用表设置为二极管功能。要在关闭状态下测试MOSFET，请保持栅极不施加任何电压，并检查漏极和源极之间的连接。因此，将数字式万用表的负极探针连接到电源，正极引线连接到漏极。数字式万用表应显示OL（过载，表示存在断路）。现在，我们应该给门引脚一个小电压，并观察它作为一个小电容器。为此，取下数字式万用表的正极表笔，瞬时接触栅极引脚，然后将正极表笔连接回漏极。现在我们可以看到，我们有一个短路（你应该能够听到蜂鸣器嘟嘟声指示短路）。这意味着栅极充电，MOSFET处于导通状态。为了使MOSFET回到关闭状态，我们需要对栅极放电。由于它是一个小电压，只需用手指触摸栅极和源极，它就会放电，MOSFET就会关闭。