FGA25N120 IGBT

的FGA25N120是高电压和高电流吗IGBT采用NPT Trench技术。IGBT可以开关1200V，额定电流高达50A。它还具有非常低的门饱和电压2V，允许它用于低压驱动侧设计。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	门	控制IGBT的偏置
2	收集器	电流通过电源流入
3.	发射器	电流通过发射极流出

特性

• 高电压高电流IGBT，饱和电压低
• 集电极-发射极电压(VCE): 1200V
• 集电极电流(IC): 50A @25°C
• 最小门限电压(VGE)为3.5V
• 最大门限电压(VGE)为7.5V
• Gate-Emitter Voltage is (VGE) is±20V (max)
• 上升时间约为60ns，下降时间约为100ns。
• 可在To-3P包

注意:完整的详细信息可以在本页面底部链接的FGA25N120 IGBT Datasheet中找到。

替代FGA25N120

FGA15N120、TA49123 FGA180N33

在哪里使用FGA25N120 IGBT?

的FGA25N120是一种高电压高电流IGBT，它可以用于开关高电压值高达1200V，电流能力为50A在25°C。它可以进一步处理高达90A的高脉冲电流，适用于涉及高电压和开关电流尖峰的应用。

由于IGBT采用了无冲孔直通(NPT)技术，因此具有极低的开关损耗和较低的饱和电压，可用于低压开关驱动器设计，其开关范围具有较高的效率。和所有IGBT一样，FGA25N与mosfet相比，也存在开关速度低和集电极和发射极电压降高的问题。因此，如果你的设计需要高效率和更快的开关器件，那么你应该选择mosfet而不是IGBT。IGBT在涉及高开关电压和电流的设计中是首选。

如何使用FGA25N120?

IGBT是MOSFET和BJT的组合，我们可以从它的引脚看出。它在输入端有类似于MOSFET的Gate，在输出端有类似于BJT的集电极和发射极。这表明IGBT只是利用MOFET和BJT的优点在其输出侧耦合MOSFET。

与MOSFET类似，IGBT中的栅极引脚也必须以最小栅极电压触发以关闭开关。这里在FGA25N120的最小栅极饱和电压是2V，但通常在设计中使用5V，所需的栅极触发电压可以使用集电极发射极电压和集电极电流来计算，必须被切换，使用数据表中的图表如下所示

一旦栅极被触发，IGBT将保持在触发电压被移除后，类似于MOSFET。这是因为栅极电容存在于IGBT的输入栅极引脚上。要关闭器件，只需简单地将IGBT的栅极引脚连接到地，栅极电容就会被释放。因此，IGBT的栅极引脚通常通过10k的下拉电阻或像IR2104的栅极驱动IC连接到地。

当IGBT用于开关电路时，应注意不要在高频设计中使用它，因为IGBT的集电极发射极压降(开关损耗)会随着开关频率的增加而增加。相同的图表可以在数据表中找到。

应用程序

• 高电压、大电流开关装置
• 感应加热
• 微波炉
• 大型螺线管
• 特斯拉线圈
• 变换器或逆变电路

组件的2D模型

如果您正在使用该组件设计PCB或Perf板，那么下面来自2N7000数据表的图片将有助于了解其封装类型和尺寸。